Infineon Technologies bietet 30-V-MOSFETs mit dem weltweit kleinsten Durchlasswiderstand R DS(on) für Hochstrom-Anwendungen im Fahrzeug. Die neuen OptiMOS™-T2 30-V-MOSFETs sind N-Kanal-Leistungsschalter mit einem Drain-Strom von 180 A und einem R DS(on) von nur 0,9 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der IPB180N03S4L-H0 im D 2PAK-7-Gehäuse erfüllt die Anforderungen nach kostengünstigen Leistungs-MOSFETs in Standard-Gehäusen, die sowohl hohe Nennströme als auch geringste RDS(on)-Werte bieten.

Die OptiMOS-T2-Bausteine gehören zu Infineons zweiter Trench-Technologie-Generation von Leistungs-MOSFETs. Sie wurden speziell für Hochstrom-Anwendungen von Fahrzeugen entwickelt und kommen im Antriebsstrang, der elektrischen Servolenkung (Electrical Power Steering, EPS) und in verschiedenen Start/Stopp-Funktionen zum Einsatz.

Aus Kosten- und Effizienzgründen gibt es in der Automobilbranche einen klaren Trend hin zu Trench-Konzepten. Leistungs-MOSFETs mit Trench-Technologien wie OptiMOS-T2 bieten signifikante Verbesserungen sowohl bei Durchlasswiderstand als auch bei Gate-Ladung. Das zeigt sich in einer FOM (Figure of Merit, Produkt aus Gate-Ladung und R DS(on)-Wert), die beim OptiMOS-T2 eine der branchenweit niedrigsten ist. Darüber hinaus ist Infineons innovative „Powerbond“ Hochstrom-Technologie besser als bisherige Drahtbond-Lösungen eines MOSFETs, denn sie senkt den R DS(on)-Abfall am Bonddraht und erhöht die Stromtragfähigkeit. Dadurch bleiben die Bonddrähte kühler, was die Zuverlässigkeit verbessert. Infineons neueste Powerbond-Technologie ermöglicht eine vierfache 500-µm-Doppel-Drahtkontaktierung in einem einzigen MOSFET, was im Standardgehäuse einen Strom von 180 A zulässt.

Die OptiMOS-T2-Technologien und die robusten Gehäuse widerstehen Temperaturen von 260 °C beim Reflow-Löten mit MSL1 (Moisture Level 1) und bieten bleifreie Anschlüsse gemäß RoHS. Der Leistungs-MOSFET IPB180N03S4L-H0 ist nach den Spezifikationen des Automotive Electronics Council (AEC-Q101) qualifiziert. Infineons fortschrittliche Trench-Technologie ermöglicht geringe Gate-Ladungen, geringe Kapazitäten und niedrigere Schaltverluste sowie ausgezeichnete FOM-Werte. Damit lässt sich die Effizienz von elektrischen Motoren erhöhen. Außerdem ermöglicht die optimierte Gate-Ladung kleinere Ausgangstreiber-Stufen.

Der IPB180N03S4L-H0 zielt auf Hochstrom-Applikationen mit mehr als 500 A, indem mehrere MOSFETs parallel betrieben werden. Da der IPB180N03S4L-H0 einen Nennstrom von 180 A liefert, lassen sich in Hochstrom-Anwendungen ein oder mehrere MOSFETs einsparen, um Strom-Aufteilung, thermisches Verhalten und Kosten zu optimieren.

„Auf Basis der OptiMOS-T2 Trench-Technologie bietet Infineon ein breites Portfolio an Automotive-MOSFETs von höchster Leistungsfähigkeit und Qualität in robusten Gehäusen“, sagte Dr. Torsten Blanke, Director, Product Marketing, Standard Automotive Power bei Infineon Technologies. „Mit dem neuen OptiMOS-T2 30 V mit einem Nennstrom von 180 A setzt Infineon einmal mehr Maßstäbe bei höchsten Strömen in Standardgehäusen und geringstem R DS(on) bei Trench-Technologien.“

Verfügbarkeit

Der 30 V IPB180N03S4L-H0 mit 180 A Drain-Strom und einem R DS(on) von nur 0,9 mΩ ist in Produktion. Infineon bietet für sehr kostenkritische Anwendungen auch eine Variante mit 30 V / 180 A (IPB180N03S4L-01) und einem R DS(on) von 1,05 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung an. Beide Hochleistungs-MOSFETs sind im Standardgehäuse D 2PAK-7 verfügbar.

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